GB/T 10118-2009 高纯镓

2018/6/23 21:03:42

标准简介

本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容等。
本标准适用于以纯度不小于99.99%的工业镓为原料,经电解精炼、拉制单晶或其他提纯工艺制得的纯度不小于99.9999%的镓。产品供制备化合物半导体材料和高纯合金。


英文名称：	High purity gallium
替代情况：	替代GB/T 10118-1988
中标分类：	冶金>>有色金属及其合金产品>>H66稀有分散金属及其合金
ICS分类：	冶金>>有色金属产品>>77.150.99其他有色金属产品
发布部门：	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
发布日期：	2009-10-24
实施日期：	2010-06-01
首发日期：	1988-12-10
提出单位：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
主管部门：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位：	国瑞电子材料有限责任公司
起草人：	于洪国、邢志国
计划单号：	20065623-T-469
页数：	8页
出版社：	中国标准出版社
书号：	155066·1-39711
出版日期：	2010-06-01

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前言

本标准代替GB/T10118-1988《高纯镓》。
本标准与GB/T10118-1988相比,主要有如下变动:
---增加了检出杂质元素的种类;
---降低了原标准中检出杂质元素的含量;
---引入了MBE 级牌号高纯镓;
---对原标准的试验方法进行了修改,增加了辉光质谱法等。
本标准的附录A 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准负责起草单位:国瑞电子材料有限责任公司。
本标准参加起草单位:南京金美镓业有限公司。
本标准主要起草人:于洪国、邢志国。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T10118-1988。

引用标准

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
YS/T474 ICPMS分析法测定高纯镓中的痕量元素

本标准相关公告

·中华人民共和国国家标准批准发布公告2009年第12号（总第152号）[2009-11-17]